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时间：2021/10/20 阅读：5985
大数据时代 ，包括PC在内的所有智能终端都在朝着更强性能、更高算力的偏向迭代升级 。为了知足PC等智能终端对性能的追求 ，利记官网平台入口存储近期正式宣布DDR5 DRAM存储模组 ，以大容量、高频率、低功耗 ，助力客户提前结构最新的DDR5处置惩罚器平台产品开发 ，加速下一代PC等智能终端产品的商业化历程 。
利记官网平台入口存储DDR5 UDIMM
凭证VCZ的最新新闻 ，支持DDR5的因特尔12代酷睿处置惩罚器将于11月4日上市发售 。后续 ，支持DDR5标准的PC主机必将迅速涌现 。这意味着DDR5的时代将正式开启 。相比DDR4内存 ，DDR5拥有更高的起步频率 ，业内预估未来可达6400MHZ ，同时电压更低 ，数据预取更大 。相关比照数据如下:
DDR3、DDR4、DDR5比照
利记官网平台入口DDR5 UDIMM存储模组接纳镁光（Micron）最新1znm 16Gb DDR5原厂颗粒 ，标准频率提升至4800Mbps ，直接突破DDR4的性能天花板 。同时 ，思量到市场还处于交替初期 ，利记官网平台入口存储提供16GB、32GB两种容量规格供客户选择 。
利记官网平台入口存储DDR5规格参数
除了大幅提升性能之外 ，利记官网平台入口DDR5 UDIMM实现了多种RAS（Reliability ，Availability and Serviceability）功效 ，提高了产品的可靠性、稳固性与适合性 。其中主要包括：
On-Die ECC纠错机制
On-Die ECC纠错机制将原本用于工控企业级应用的数据纠错功效 ，带到了民用平台 ，不需要自力的芯片 ，为数据传输历程提供端对端的完整�；� 。
WR写入数据平衡
WR写入数据平衡功效不但可以�；ね馐芊偶渥倘诺挠跋� ，还可实现更高的数据写入速率 。
PMIC电源管理
PMIC电源管理高效控制系统电源负载 ，调理电源纹波、电压和上下电时序 ，提升信号完整性与兼容性；同时 ，仅1.1V的事情电压 ，可以抵达降低发热量和省电的效果 。
数据的循环冗余校验 (CRC)
利记官网平台入口DDR5支持对写入和读取的数据举行CRC 校验 ，实现高速、高准确率、低本钱纠错 ，从而阻止通道蜕化 。
利记官网平台入口DDR5赋能高速运算
利记官网平台入口存储践行“芯存万象、致美唯真”的品牌理念 ，在高频、高速、小尺寸、大容量等存储芯片产品的研发偏向上追求极致 。在内存产品从DDR4向DDR5升级的过渡期 ，利记官网平台入口存储自动出击 ，研发推出DDR5 UDIMM内存条 ，既提前为客户举行下一代主机产品的研发测试提供配套 ，也为DDR5新功效的开发、全产品线笼罩做好了铺垫 。
利记官网平台入口存储DDR5 UDIMM
利记官网平台入口存储DDR5 UDIMM预计于2022年进入量产阶段 ，之后 ，还将推出DDR5的SODIMM版本,以及接纳三星颗粒的DDR5系列产品 。作为存储芯片全案提供商 ，利记官网平台入口存储正起劲促使DDR5进入具有高效能运算需求的游戏电脑、数据中心、AloT、人工智能等应用场景 ，推动新一轮性能浪潮的到来 。
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